二氧化硅结垢的表现及预防

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常规的水源中都会含有一定量的SiO2,SiO2在饱和的状态下能聚合为难溶性的胶体硅,沉积在反渗透膜表面后会导致系统产水量急剧下降,运行压力大幅升高,脱盐率出现明显下降。SiO2结垢表现与碳酸钙、硫酸钙结垢的表现也有较大差异,从膜元件外观上很难发现析出的结垢物质,并且较难通过化学清洗恢复性能。下面通过一个案例进行说明。

01

系统配置

排列方式:

一级三段式,膜壳排布3:2:1,采用6芯膜壳

设计回收率:87.5%

设计运行通量:16.4LMH

设计产水量:21.9m3/h

膜元件型号:

一段/二段TML20D-,三段TMV-

02

运行概述

系统投运不到一个月,现场两套设备运行压力升高一倍,各段压差无明显变化;两套设备产水量均下降一倍左右。

产水电导上升,脱盐率下降,化学清洗后表现更明显。

03

案例分析

原水为垃圾填埋场循环排污水,硬度mg/L,碱度mg/L,二氧化硅mg/L。通过澄清池预处理后,反渗透系统进水电导0-0μS/cm,硬度mg/L,碱度mg/L,二氧化硅mg/L,PH回调至7。运行初期控制回收率80%左右,后产水量下降,回收率逐渐下降至60%左右。

现场单个膜壳取产水检测,A设备一段产水电导μS/cm以内,二段、三段明显异常,均为μS/cm;B设备一段产水电导μS/cm以内,二段、三段均为0μS/cm。后对A设备一二三段逐一进行探针实验,一段第六只膜壳位置产水电导有升高现象,二三段无明显跳点,与膜壳取样口所测数值接近。取三段最后一支膜送检进行膜元件分析。

04

膜元件分析

存在轻微超重现象,进水侧及浓水侧端面观察无明显污染物。

标准性能评价结果脱盐率(92.96%)和产水量(1.6m3/d),脱盐率和产水量都明显下降。探针测试显示产水电导率整体偏高,但无明显突变点。

观察无明显污染物,但SEM观察膜表面覆盖一层结垢物。膜片EDX元素分析主要含有O(52.41%),Si(18.17%),主要为二氧化硅结垢。膜片染色显示背面无明显渗漏。膜片标准性能评价脱盐率(97.06%)和产水量(0.14m/d),膜片脱盐率和产水量也明显下降,与膜元件性能评价结果变化趋势一致。

05

总结及运行建议

(1)SiO2结垢控制对反渗透系统的稳定运行至关重要,与系统运行压力、产水量及脱盐率等息息相关。项目前期应进行充分和详细的水质分析,选择合适的预处理工艺,反渗透系统回收率的选择应充分考虑浓水侧SiO2含量(具体可耐受浓度以阻垢剂厂家推荐值为准)。另外,降低反渗透系统回收率、适当提高水温、适当提高pH、预处理投加硅的分散剂等措施也能有效降低SiO2结垢风险。

(2)建议在以下情况发生时及时进行反渗透系统化学清洗:系统某段的进水和浓水的压差上升到初始压差值的%;标准化的产水量降低了10%;标准化的透盐率增加了20%。

SiO2结垢发生时,一般表现为运行压力上升,产水量下降,因为污染主要发生在膜表面,压差变化往往不明显,建议在反渗透系统出现以上表现时,及时进行化学清洗的同时,加强对SiO2等污染物的水质检测频率。

(3)SiO2结垢往往是从系统最后一支膜开始,系统最后几支膜的结垢情况会相对严重,产水减少或者几乎不产水。建议定期对各段单支膜壳电导率进行测试,从而快速发现产水电导异常的位置,进而及时对系统进行诊断并采取相应处理措施。

(4)当SiO2结垢不是特别严重时,可以采用0.1%NaOH+0.%十二烷基磺酸钠溶液或者0.1%NaOH+1.0%Na4EDTA溶液进行清洗。

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