要提高沸石分子筛的疏水性,就要通过消除极性离子存在,即降低结晶中铝的含量。可通过下面的办法来提高沸石的疏水性。
水热生成与酸萃取组合法：
水热烧成法是在蒸汽共存的情况下,将铵离子型或阳离子型沸石在℃以上烧制的一种方法。在水热烧制中,铝原子从结晶骨架上脱落,同时由其它部分的硅原子置换,从而提高SiO2/Al2O3的比例。但是从结晶骨架脱落下来的铝原子,残留在微孔中,必须将其除去。为此利用盐酸将残留在微孔中的铝溶解下来。结晶骨架的SiO2/Al2O3比例的提高是依靠其它部分硅的补充,因此,产生缺陷晶格,在结晶内存在空隙。L型及Ω型沸石都能采用水热烧成法稳定生产。
四氯化硅法：
在℃以上的高温下,将无水沸石与四氯化硅气体反应,从而实现将结晶中的铝原子与硅原子的置换。Y型(SiO2/Al2O3的摩尔比大于4)沸石与四氟化硅蒸汽压在常压、～℃下,反应2h,SiO2/Al2O3的比例可提高到40～,进一步用盐酸处理,SiO2/Al2O3的比例可达。这一方法所制得的Y型沸石无缺陷晶格。
六氟硅酸铵法：
铵型的沸石生料中加入六氟硅酸铵水溶液,沸石结晶骨架中的铝原子直接由硅原子置换。由此结晶内的缺陷极少,这一方法具有在低温、液相中进行的特点。反应如下:
CVD法制备金属氧化物负载型沸石材料
CVD法是把挥发性的金属化合物沉积在固体的表面,再经过处理以制备固体复合型材料的技术。CVD法包括吸附沉积、化学分解、水解和氧化还原等几个过程。CVD法可用于高分散、高含量的金属或金属氧化物负载型催化剂的制备,如把Ar(OEt)4沉积在ZSM25上,经水解焙烧可得到一层氧化锆沉积层。这样得到的材料对从甲醇制异戊烷表现出有趣的选择性。